Nowy standard pamięci wewnętrznej może podwoić prędkość przesyłu danych, a pierwszych korzystających z niego smartfonów możemy spodziewać się jeszcze w tym roku.
Standard pamięci UFS 5.0 został opublikowany pod koniec 2025 roku, a teraz powstały pierwsze oparte na nim testowe egzemplarze pamięci masowej, w wariantach pojemności 512 GB i 1 TB. Stoi za tym Kioxia, firma wywodząca się ze specjalizującego się w półprzewodnikach oddziału firmy Toshiba.
Nowe moduły pamięci UFS 5.0 mają rozmiar 7,5 x 13 mm, a tryb High-Speed Gear 6 umożliwiany przez ich warstwę fizyczną MIPI M-PHY 6.0 i protokół UniPro 3.0 teoretycznie wspiera przepustowość sięgającą do 46,6 Gb/s, co przy dwóch pasmach może przełożyć się na około 10,8 GB/s zapisu i odczytu danych.
Oficjalnie nie wiadomo jeszcze, kiedy pierwsze smartfony z pamięcią UFS 5.0 trafią na rynek, ale przecieki sugerują, że pierwszym wspierającym ją procesorem będzie Snapdragon 8 Elite Gen 6 od Qualcomm, który wyróżni się także wsparciem dla pamięci RAM typu LPDDR6 i nową, jeszcze bardziej zminiaturazowaną architekturą 2 nm wykonaną w procesie TSMC N2P. Nowa pamięć wewnętrzna przyda się smartfonom z działającą lokalnie sztuczną inteligencją i aparatami 200 Mpx, które trafiają do coraz większej liczby urządzeń.
28.03.2026
