Samsung ogłosił właśnie wersję 4.0 swojej technologii Universal Flash Storage. UFS 4.0 ma znacząco poprawić szybkość i wydajność wyposażonych w nią urządzeń.
Nowa generacja pamięci wewnętrznej ma trafić do masowej produkcji w trzecim kwartale tego roku. Można się więc spodziewać, że Galaxy Z Fold 4, Galaxy Z Flip 4 i Galaxy S23 mogą być pierwszymi smartfonami Samsunga, które wspomoże nowa technologia. Skorzystają nie tylko modele Samsunga - pamięć UFS jest stosowana w wielu smartfonach z Androidem. UFS 4.0 ma być nie mniej wszechobecna - Samsung planuje współpracować z innymi producentami, by zapewnić szybszą pamięć nie tylko smartfonom, ale także w aplikacjach motoryzacyjnych oraz rozszerzonej i wirtualnej rzeczywistości (AR i VR).
O ile dokładnie szybszą? Jak informuje producent, UFS 4.0 oferuje przepustowość do 23,2 Gb/s na linię, dwukrotnie większą niż UFS 3.1, co czyni go "idealnym dla smartfonów 5G wymagających przetwarzania ogromnej ilości danych". Nowa, siódma generacja technologii V-NAND firmy Samsung umożliwi sekwencyjne prędkości odczytu do 4200 MB/s oraz sekwencyjne prędkości zapisu do 2800 MB/s - tu też jest dużo lepiej.
Jakby tego było mało, nowa technologia zużywa także mniej baterii - jeden miliamper energii odczyta 6 MB danych na sekundę, co jest wynikiem o 46% lepszym niż w trzeciej generacji UFS. Pamięć masowa UFS 4.0 będzie dostępna w pojemności do 1 TB - dla flagowców w sam raz.
03.03.2026
